Home Туннельный эффект и.драйвера и л.эсаки


Туннельный эффект и.драйвера и л.эсаки


The physics of the tunnel diode. Analytical solution of the Boltzmann-Poisson equation and its application to MIS tunneling junctions. Поскольку вероятность туннельного просачивания электронов через барьер в значит. Theoretical study of the time-dependent phenomenon of photon-assisted tunneling through a charged quantum dot. C: Solid State Phys. В диапазоне напряжений от U1 до U2 дифференциальное сопротивление отрицательно. Inelastic electron tunneling spectroscopy with a dilution refrigerator based scanning tunneling microscope. The effect of quasi-periodicity on the resonant tunneling lifetimes of states in electrically biased semiconductor superlattices. Simulation of current—voltage characteristics of a MOS structure considering the tunnel transport of carriers in semiconductor. В туннельном диоде квантово-механическое туннелирование…. Эсаки … Большой Энциклопедический словарь — У этого термина существуют и другие значения, см. Автоволны в активной двухпроводной линии с экспоненциальной вольтамперной характеристикой. Применяется преимущественно в усилителях и генераторах сверхвысокочастотных колебаний и в импульсных переключающих устройствах. Journal of Physics: Conference Series. Transport and noise in resonant tunneling diode using self-consistent Green function calculation. Резонансное туннелирование электронов, взаимодействующих с фононами. Эффективный заряд Двухпетлевое приближение Плотность инстантонов в группе SU N Инстантонный газ и общие теоремы Инстантоны в КХД-вакууме Фермионы в инстантонном поле Цитированная литература М. Tunnel devices are not yet manufacturable. Журнал экспериментальной и теоретической физики. Резонансное туннелирование, электрические и оптические явления в длиннопериодных полупроводниковых сверхрешетках Сессия РАН 16.


Thesis submitted for the degree of Doctor of Philosophy.


ТУННЕ?ЛЬНЫЙ ДИО?Д, полупроводниковый диод, действие которого основано на туннельном эффекте. Для германиевых диодов в качестве донорных примесей, как правило, используют P или As, в качестве акцепторных - Ga и Аl; для арсенид-галлиевых - Sn, Pb, S, Se, Те доноры , Zn, Cd акцепторы. Transport and noise in resonant tunneling diode using self-consistent Green function calculation. Theory of inelastic multiquantum resonant tunneling of electrons. Hidgh-field photoconductivity of amorphous GeTe and GeSe films. Optical properties of semiconductor superlattice. Связь с теорией андерсоновской локализации Стохастическая ионизация и квантовые эффекты. В диапазоне напряжений от U1 до U2 дифференциальное сопротивление отрицательно. Предельная рабочая частота Т. Эсаки … Большой Энциклопедический словарь — У этого термина существуют и другие значения, см. Tunnel devices are not yet manufacturable.

You may look:
-> сочинение на тему вспоминая лето
Novel Tunnelling Phenomena in Quantum Wells and Super Iattices.
-> николай семёнович лесков левша ответы на вопросы
Tunneling of electrons from a two-dimensional channel into the bulk.
-> сочинение на тему что видели горы
Electron tunneling through molecular layers.
-> конспект тренировки по русской лапте
Quantum-mechanical tunneling sith dissipation.
-> ответы по ент 2014
Туннелирование Детерминант и нулевые моды Инстантонный газ Евклидова формулировка КХД BPST-инстантоны.
->Sitemap



Туннельный эффект и.драйвера и л.эсаки:

Rating: 99 / 100

Overall: 68 Rates